激光剥离技术的开发有助于尖端设备 3D 封装的创新 |新闻中心 |taptap点点

　东京威力科龙（东京都港区电话：Toshiki Kawai）的开发和制造基地东京威力科龙九州的开发团队开发了一种激光脱粘技术，该技术有助于使用永久晶圆键合进行尖端器件 3D 安装的技术创新。这是一项新技术，使用激光将上层硅片和包含集成电路的层从两个永久键合的硅片上分离出来。

　随着数字社会的进步，半导体有望具有更高的性能，下一代半导体通过小型化以及采用晶圆永久键合技术的三维封装变得更加集成。在目前的晶圆永久键合工艺中，将两片硅片永久键合后，采用研磨技术将上面的硅片减薄并去除。然而，随着半导体器件的堆叠程度越来越高，人们担心，由于研磨时的应力、研磨后的薄膜剥落以及修边区域的扩大，成品率会下降，从而限制了硅晶圆上有效芯片的数量。因此，需要采用与研磨技术不同的方法进行技术创新。

　我公司新开发的激光分层技术是一项突破性技术，可以去除上层硅片，而不是利用现有的研磨技术进行减薄，消除了现有减薄工艺中良率下降的担忧。

　通过使用该技术，可以简化工艺，用激光剥离代替现有减薄工艺中的硅片背面研磨、抛光、化学蚀刻等多项工艺。此外，由于激光加工不需要研磨时所需的纯水，因此与传统方法相比，纯水用量可减少90%以上，同时废水量也可大幅减少，有助于减少对环境的影响。此外，我们正在开发一种技术，通过对使用激光分层技术分离的上硅晶圆进行适当的处理，可以实现硅晶圆的再利用。这将减少晶圆制造过程中的二氧化碳排放量。₂也可以为减排做出贡献。

　我公司将继续追求最好的产品和最好的技术服务，继续为半导体技术创新做出贡献。今年我们庆祝成立60周年，我们将这一里程碑定位为“新的转折点”，并将继续接受进一步的挑战和发展，为充满梦想的社会的发展做出贡献。