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CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP

涂布机/显影机

兼容300mm/200mm晶圆的镀膜和显影设备。针对下一代封装和旋涂硬掩模工艺优化的平台。

CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Z

涂布机/显影机

兼容300mm/200mm晶圆的镀膜和显影设备。最新平台支持包括 EUV 工艺在内的尖端光刻技术，并结合了高可靠性和生产力。

CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V / LITHIUS Pro™ V-i

涂布机/显影机

兼容300mm晶圆的镀膜和显影设备。 CLEAN TRACK™ 开发了 LITHIUS Pro™ 设计理念，以最大限度地提高每日吞吐量。

CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ / LITHIUS Pro™ ｰi

涂布机/显影机

兼容300mm/200mm晶圆的镀膜和显影设备。同时实现了生产效率的提高和空间的节省。实现了提高OEE、降低CoO的核心理念。

CLEAN TRACK™ LITHIUS™ / LITHIUS™ i+

涂布机/显影机

兼容300mm/200mm晶圆的镀膜和显影设备。除了提高与更重要的工艺技术的兼容性和稳定性之外，我们还实现了更短的交货时间、缩短的启动时间和更容易的修改。

清洁轨道™ ACT™12 / ACT™12 SOD

涂布机/显影机
SOD 包衣机

与 300mm/200mm 晶圆兼容的涂层和显影设备由于零部件的可靠性而提高了正常运行时间。 SOD镀膜成膜设备可对各种SOD材料进行镀膜及固化（热氧化）加工。

清洁轨道™ ACT™8Z

涂布机/显影机

兼容75-200mm晶圆的镀膜、显影设备，兼容各种基板（Si、GaAs、GaN、SiC、Thin & Thick等）。也可形成SOD涂层膜。

清洁轨道™ ACT™ M

光掩模涂布机/显影机

光掩模涂布和显影设备。采用CLEAN TRACK™ ACT™平台，实现了卓越的工艺性能和高可靠性。

剧集™ UL

等离子蚀刻系统

300毫米晶圆的等离子蚀刻设备。通过灵活的腔室数量选择、节省空间、提高可维护性和智能设计，有助于提高生产率。

塔克特拉斯™

等离子蚀刻系统

300毫米晶圆的等离子蚀刻设备。自2006年发布以来，它提供了高可靠性和高生产率，并在输送速度和占地面积方面达到了世界最高标准。

Certas LEAGA™

气体化学蚀刻系统

300mm晶圆气体化学蚀刻设备。环保型高通量设备。兼容从大规模生产到下一代开发的广泛应用。

UNITY™我+

等离子蚀刻系统

100-200mm晶圆的等离子蚀刻设备。在批量生产线上实现高性价比，并实现卓越的生产率和高可靠性。

CELLESTA™-i医学博士

单晶圆清洗系统

300mm晶圆的单晶圆清洗设备。兼容10nm节点以下最新清洗工艺，强力支持尖端单晶圆清洗环境。

CELLESTA™-i

单晶圆清洗系统

300mm晶圆的单晶圆清洗设备。通过提高生产率和减少占地面积，与传统设备相比，我们实现了洁净室占用面积的显着减少。

CELLESTA™ MS2

单晶圆清洗系统

使用物理力的单片晶圆清洗设备，适用于300mm晶圆。双面同时加工和直至最外周的清洁功能实现了高生产率和颗粒控制。

EXPEDIUS™ -i

自动湿站

300mm晶圆批量清洗设备。基于自动湿站 EXPEDIUS™+，我们进一步提高了工艺性能和生产率。

NS300Z

洗涤器系统

用于300毫米晶圆的洗涤器清洁设备。配备的工艺模块在可靠性和稳定性方面拥有良好的记录，可实现更高的生产率。

NS300+ 200mm 转换

洗涤器系统

兼容200mm/150mm晶圆的洗涤器清洁设备。搭载300mm新一代器件的清洗工艺技术，实现高可靠性和生产率。

NS300+HT

洗涤器系统

300mm晶圆洗涤器清洗设备。继承并完善NS300+卓越的可靠性和稳定性理念，实现更高的生产力。

NS300

洗涤器系统

300mm晶圆洗涤器清洗设备。具有高可靠性并减少损坏。

ANTARES™

单晶圆低温动力清洗系统

300mm晶圆全自动单晶圆清洗设备。采用独特的低温气溶胶技术，不使用纯水或化学品，去除颗粒污染并提高产量，还可以清洁疏水膜。

ZETA™＋200/300/半自动

批量喷雾系统

300/200mm晶圆全自动批量喷淋清洗设备。与搭载可提供最佳输送清洁环境的mini-en机构的FOUP/SMIF兼容，还可实现低成本的半自动规格。

TELINDY PLUS™

热处理系统

300mm晶圆批量式热处理设备。该装置继承了TELINDY™具有出色量产性的特点，并通过结合改进和新技术进一步发展。

TELINDY PLUS™ IRad™

等离子体增强批量热 ALD 系统

兼容300mm晶圆的批量式热处理薄膜沉积设备。具有安装在 TELINDY PLUS™ 平台上的等离子源的突破性设备，具有高生产率和高可靠性。

TELFORMULA™

热处理系统

300mm晶圆批量式热处理设备。除了与各种应用兼容之外，它还配备了创新技术，最大限度地缩短了从晶圆装载到收集的时间。

ALPHA-8SE™ i

热处理系统

200mm以下晶圆的间歇式热处理成膜设备。除了提高设备稳定、连续运行的可操作性和功能外，它还符合全球安全标准。

NT333™

原子层沉积系统

TEL 第一个与 300mm 晶圆兼容的半批量薄膜沉积系统。我们独特的成膜方法实现了膜厚控制、高质量成膜以及高深宽比内的膜质量均匀性。

特里亚斯e⁺™ EX-II™ 氮化钛

单晶圆沉积系统

与 300mm 晶圆兼容的单晶圆沉积设备。 ASFD工艺可实现高覆盖率成膜，实现满足尖端器件需求和高生产率。

特里亚斯e⁺™钛/氮化钛

单晶圆沉积系统

与300mm晶圆兼容的单晶圆CVD设备。 TiCl₄实现高阶梯覆盖的 Ti 和 TiN 沉积

特里亚斯e⁺™W

单晶圆沉积系统

与300mm晶圆兼容的单晶圆CVD设备。 WF₆实现高阶梯覆盖的W膜沉积，从而可以形成小型化所需的低电阻膜。

特里亚斯e⁺™ 水疗中心i

单晶圆等离子体处理系统

与 300mm 晶圆兼容的单晶圆沉积设备。它采用低温、低损伤等离子处理技术，可实现高生产率并减少对环境的影响。

第 1 集

单晶圆沉积系统

与 300mm 晶圆兼容的单晶圆沉积设备。配备多达8个处理模块，可连续处理多个模块。

Episode™ 2 DMR

单晶圆沉积系统

与 300mm 晶圆兼容的单晶圆沉积设备。同时传输和沉积两片晶圆，实现高生产率和小占地面积。

EXIM™

PVD 系统

与300mm晶圆兼容的PVD设备，采用独特的成膜方法。可根据需要自由布置工艺模块，实现高生产率和工艺性能的兼顾。

LEXIA™-EX

PVD 系统

除了传统机器的成膜功能和可扩展性外，吞吐量提高了20%以上，占地面积减少了约40%，二氧化碳₂排放量减少约 14%。

Cellcia™

多电池测试系统

兼容300mm晶圆的下一代晶圆批量测试平台。通过增加单元和阶段的数量来最大限度地提高测试效率，进一步降低总测试成本。

Prexa™

晶圆探针台

最新的300mm全自动晶圆探针台。我们提供高生产率和先进功能，为先进封装技术中的KGD（优质保证）测试做出贡献。

Prexa™MS

晶圆探针台

适用于最新 300mm 兼容存储器件的全自动晶圆探测器。实现具有超高负载能力和高吸热控制的全晶圆测试（批量接触）。

WDF™12DP+

晶圆/切割架探测器

最新的全自动切割架探测器。它使得无需更换套件即可运输和测试晶圆和切割框架，满足各种需求。

Precio™ XL

晶圆探针台

兼容300mm的全自动晶圆探针台。它实现了高生产率、接触性能、更高的清洁度和更短的交货时间，并配备了众多高附加值功能作为选项。

Precio octo™

晶圆探针台

与 200mm 晶圆兼容的晶圆探测器。采用超高速分度和高速晶圆交换功能，通过降低成本和提高 OEE 来大幅提高生产率。

PN-300

晶圆探针台数据管理系统

使用数据库的探测器网络系统。轻松访问其他系统的数据，让客户自由编辑和处理数据。

基于网络的探测器高级功能

晶圆探针台操作支持系统

用于高效操作和维护探测器的网络系统。远程操作节省了现场劳动力。

Synapse™ V / Synapse™ Z Plus

晶圆键合机/解键合机
系统

晶圆键合/分离设备，可对 3 亿片晶圆进行高效的临时键合和分离工艺。提供业界最高水平的TTV和高邦定精度。

Synapse™ 硅

晶圆键合机
系统

用于与300mm晶圆兼容的键合器件的键合设备。实现 3σ 01um 或更小的对准精度、减少占地面积和高吞吐量。

Ulucus™ L

晶圆边缘修整
系统

用于 300mm 晶圆键合设备的激光修边设备。除了提高生产率外，还减少了纯水的使用量以及修整前后的工序数量。

Ulucus™ LX

极限激光
升空
系统

用于 300mm 晶圆键合设备的先进激光解键合设备。实现了利用激光分离硅基板，减少了晶圆键合后的工序数和纯化水的使用量，同时实现了晶圆的再利用，增加了有效芯片的数量。

Ulucus™ G

晶圆减薄系统

用于300毫米晶圆生产的晶圆减薄设备。通过单晶圆质量控制，实现高平整度、低损伤、洁净的晶圆双面加工。

Probus-SiC™

SiC 外延 CVD 系统

用于 150/200mm SiC 功率半导体制造的 SiC 外延沉积设备。引进真空下高温控制等尖端技术，实现优异的膜厚和浓度均匀性。

UltraTrimmer Plus™

GCB 系统校正蚀刻/修整

采用GCB（气体簇束）减少晶圆表面不均匀性并控制材料修整量的晶圆加工设备，具有业界最高水平的修整功能。表面改性例如氧化也是可能的。

Acrevia™

用于尺寸修改/校正蚀刻的 GCB 系统

晶圆加工设备，将使用GCB（气体簇束）的业界最高水平的修整功能与高精度扫描系统相结合，实现蚀刻量的单独控制。还可以改善LER（线边缘粗糙度）并减少导致良率下降的光刻缺陷。

Betelex™

FPD 蚀刻/灰化系统

与第六代基板兼容的等离子蚀刻和灰化设备。最多可安装5个最佳等离子源，大大提高生产率。还实现了占地面积优化。

印象™

FPD 蚀刻/灰化系统

兼容第6代至第105代基板的等离子蚀刻和灰化设备。采用多室系统，最多可安装三个最佳等离子源。

PICP™ / PICP™ Pro

FPD 蚀刻/灰化系统

配备世界上第一个自主开发的高密度等离子体源的处理室。加工均匀性显着提高，效率提高，功耗降低高达 20% 或更多。