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taptap点点 碳化硅功率器件

TEL 的 SiC 功率器件解决方案

外延生长

Probus-SiC™

SiC 外延沉积设备,用于制造 75 至 150 mm 的 SiC 功率半导体。引进真空下高温控制等尖端技术,实现优异的膜厚和浓度均匀性。

对应流程
n-SiC,SiC 子

硬掩模

ALPHA-8SE™i

200mm以下晶圆的间歇式热处理成膜设备。除了提高设备稳定、连续运行的可操作性和功能外,它还符合全球安全标准。

对应流程
TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

光刻胶涂层和显影

清洁轨道™ ACT™8Z

兼容75-200mm晶圆的镀膜和显影设备兼容各种基板(Si、GaAs、GaN、SiC、Thin & Thick等)。也可形成SOD涂层膜。

对应流程
PR,TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

牛蚀原位灰

UNITY™ Me+ / DRM 室

100-200mm晶圆的等离子蚀刻设备。在批量生产线上实现高性价比,并实现卓越的生产率和高可靠性。

对应流程
TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

SiC 沟槽蚀刻

UNITY™ Me+ / UD 室

100-200mm晶圆的等离子蚀刻设备。在批量生产线上实现高性价比,并实现卓越的生产率和高可靠性。

对应流程
TEOS,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

通过 ALD 形成栅极电介质

ALPHA-8SE™i

200mm以下晶圆的间歇式热处理成膜设备。除了提高设备稳定、连续运行的可操作性和功能外,它还符合全球安全标准。

对应流程
p+,n+,p,n-SiC,SiC 子

多晶硅

ALPHA-8SE™i

200mm以下晶圆的间歇式热处理成膜设备。除了提高设备稳定、连续运行的可操作性和功能外,它还符合全球安全标准。

对应流程
多晶硅,p+,n+,p,n-SiC,SiC Sub

批量喷淋清洗

ZETA™+

300/200mm晶圆全自动批量喷淋清洗设备。兼容配备mini-en机构的FOUP/SMIF,可提供最佳的运输清洁环境,并且还提供低成本的半自动规格。

洗涤器

NS300+ 200mm 转换

与200mm/150mm晶圆兼容的洗涤器清洁设备。搭载300mm新一代器件的清洗工艺技术,实现高可靠性和生产率。