taptap点点 SiC 外延Probus-SiC™ 系列
利用尖端技术支持节能器件备受期待的SiC功率半导体的量产
Probus-SiC™是TEL开发的兼容自动化的SiC外延沉积系统，融合了在半导体制造设备市场培育的真空技术、运输技术和高温控制技术等尖端技术。通过倾听随着SiC市场的发展而变化的市场需求，并不断融入尖端技术，我们能够快速实现生产现场所需的设备。其结果是设备不仅具有量产现场所需的工艺性能，而且还具有量产现场所需的安全性、可维护性、可操作性和可靠性，其性能在世界各地的量产现场得到了高度评价。
Probus-SiC™ 是一款与 3/4/6 英寸 SiC 基板兼容的 SiC 外延沉积系统。它可通过两个半批量工艺模块进行扩展，可容纳多个晶圆，并允许您选择最适合您从开发到批量生产的目的的设备配置。此外，改变晶圆尺寸的简单方法是更换称为支架的托盘，它可以有效地容纳更大直径的晶圆。
不断发展的SiC市场需要更高的器件性能，并且需要高度均匀且缺陷更少的薄膜质量。 Probus-SiC™是一种热壁式半间歇式炉，采用感应加热方式，即使在高达1,725度的极高温度下也能实现高精度控制，并确保低缺陷薄膜质量。我们还在室内设计了供气系统，以实现出色的膜厚均匀性。我们致力于薄膜、厚膜、层压膜、Si平面、C平面、低偏角控制、沟槽填充等各种应用，并凭借丰富的知识，为SiC器件的量产提供强有力的支持。
晶圆上的结果
外延膜再现性数据（5 张/3 次运行）
系列比较
 |
||||
| 晶圆尺寸 (毫米) |
75 | 100 | 150 | 200 |
| 可用性 | 新 | |||
| 每个室的产品载体负载 | 8 | 7 | 3 | 1 |
| 最大腔室 | 2 | |||
| 吞吐量（处理时间） | <165分钟@10um厚度 | |||
| 处理温度 (℃) |
1500-1725 | |||
| 室加热 | 感应（热壁）1500 – 1725℃ | |||
| 安全 | S2、S8、CE | |||
| 应用 | Si面、C面、N型、P型 | |||
| 附加功能 | 混合晶圆尺寸与拼盘 | |||
Probus-SiC 是东京电子集团在日本和其他国家的注册商标或商标。
