taptap点点 成膜特里亚斯e⁺™系列

特里亚斯e⁺™ EX-II™ TiN（TiN：氮化钛）是 TiCl₄，最先进的高速单晶圆ASFD，兼容300mm晶圆，能够进行高台阶覆盖TiN沉积^*1这是一个设备。通过优化腔室反应空间和实施新的气体引入机制，我们实现了满足尖端设备需求的技术和高生产率。
随着半导体器件变得越来越小，其结构变得更加三维，在高深宽比形状上形成薄膜变得越来越困难。特里亚斯e⁺™ EX-II™ TiN Plus 与之前的型号相比具有全新的腔室反应空间和气体引入机制，即使在复杂结构上也能实现均匀的 TiN 薄膜形成，大大提高了面内均匀性、台阶覆盖率和生产率。为了实现更低的电阻和更高纯度的TiN膜形成，Trias是配备了专门用于高温工艺的硬件的设备。e⁺™ EX-II™ 开发的 TiN Plus HT、MIM 电容器^*2e⁺™ EX-II™ TiON（TiON：氮氧化钛）。特里亚斯e⁺™ EX-II™ TiN 系列支持各种金属沉积应用，例如接触阻挡层、电容器电极、字线阻挡层和金属栅极。每个产品可配备多达四个腔室的工艺模块，每个腔室均采用优化的清洁技术，以实现高生产率和低 CoC。

*1 ASFD：Advanced Sequential Flow Deposition：一种可以在纳米级上形成低温致密薄膜的方法
*2 MIM电容器：金属（金属）-绝缘体（绝缘膜）-金属（金属）金属之间夹有绝缘膜的电容器结构

TiN膜Cl含量

TiN膜的电阻更低

EX-Ⅱ™ TiN Plus HT 覆盖范围

特里亚斯e⁺™ Ti/TiN（TiN：氮化钛）是 TiCl₄形成具有高台阶覆盖率的Ti和TiN薄膜。自推出以来，它在世界各地的半导体量产工厂中拥有出色的量产记录和高可靠性，并在各种器件的接触过程中实现了低电阻和减少结泄漏。对于需要更精细细节和更高纵横比的工艺，Trias™ 使用 SFD™，它将 ALD 的高台阶覆盖率与 CVD 的高生产率相结合。e⁺™ SFD TiN 兼容。此外，为了满足下一代浅结和硅化镍层器件的多样化需求，Triase⁺™ HP Ti融合了许多附加功能，例如在Ti膜形成过程中引入了最佳喷头表面处理技术和TiSi同时形成工艺技术，并扩大了工艺温度范围并改善了颗粒性能，以实现微型化（这是一个问题），并提高了生产率。此外，Triase⁺™ HP Ti Plus 是我们产品系列中的新成员。每个产品可配备多达四个腔室的工艺模块，每个腔室均采用优化的清洁技术，以实现高生产率和低 CoC。

特里亚斯e⁺™W、WF₆形成具有高阶梯覆盖率的W膜。配备可实现晶圆快速加热和冷却的灯加热技术以及无等离子腔室清洁技术，实现了高生产率和低CoC。使用 SFD™ 的成核层形成和使用常规 CVD 的体膜形成在同一模块内进行，即使对于微小的孔形状也能实现高阶梯覆盖。此外，它还实现了低电阻成膜工艺，以满足进一步小型化的需求。我们提供各种应用，例如接触塞形成和通孔填充。

特里亚斯e⁺™ 水疗中心iTrias 拥有出色的生产记录和高可靠性e⁺™ 作为 SPA 系列的下一代版本，该设备的开发重点是提高生产率和减少对环境的影响，以满足市场需求。特里亚斯e⁺™ SPA系列采用低温、低损伤等离子体处理技术，该技术基于TEL多年来培育的SPA（槽平面天线）等离子体生成技术，采用高密度、低电子温度等离子体。特里亚斯e⁺™ 水疗中心i继承了这一独特功能，同时提高了设备​​吞吐量，实现了高生产率并通过降低功耗减少了二氧化碳排放₂减少排放和设备占地面积。此外，通过提供偏置功能，同时实现良好的膜质和高覆盖特性，并兼容栅极氮化、栅极修复氧化、STI内衬氧化、高k氮化等各种关键前端工艺。