taptap点点 3D 实现Synapse™/Ulucus™ 系列

Synapse™ V/Z 是一款晶圆级键合和分离系统，可实现 3 亿片晶圆的高效临时键合和分离工艺。除了以摩尔定律为主导的传统小型化技术之外，通过使用TSV（Through Silicon Via）的三维封装技术（也称为“超越摩尔”）来提高半导体性能正在稳步成为现实。 Synapse™ V配备了材料涂覆、干燥和键合功能，用于临时键合两个晶圆，并通过单个设备实现使用多种粘合材料的集成晶圆键合工艺。配备TEL独创的晶圆对准机构和晶圆键合模块，提供业界最高水平的TTV（总厚度变化）和高晶圆键合精度。此外，晶圆解键合系统Synapse™ Z Plus配备了晶圆解键合工艺所需的晶圆解键合和器件/载体晶圆清洗功能，使得用单个设备执行TSV工艺后的复杂工艺成为可能。新开发的特殊功能可稳定传输和加工厚度为 50 微米以下的极薄晶圆。

Synapse™ Si 是一种适用于 300mm 晶圆的永久键合系统，兼容熔合键合和铜混合键合。通过遵循先前工艺中已验证的平台、清洁模块和等离子处理模块的设计，我们实现了高批量生产可靠性、高对准精度和高吞吐量。
此外，通过根据客户要求扩展块，可以进一步提高单位面积的生产率。预计未来永久键合工艺将应用于多种应用，TEL将为这些新应用的开发和量产做出贡献。

Synapse™ ZF 是 Synapse™ Si 的附属器件，现已开始在许多设备中大规模生产。这是一种返工器，可以在键合之后和永久键合（退火）之前进行返工。
TEL 应用我们多年积累的脱粘技术，并使用兼具高质量和可靠性的设备来提高客户产量、降低制造成本并提高永久键合工艺的质量。

Ulucus™ L 是一款用于 300mm 三维高密度贴装设备的激光修边设备，该设备是通过将我们已量产的涂层和显影设备的平台技术与基于我们专有技术的先进激光控制单元相结合而开发的。这使得提供可在前段工艺中实现的超清洁技术以及高可靠性和生产率成为可能。
通过采用激光控制技术，该设备可实现高质量切割面、高精度、高速修边，并且加工过程中不使用纯水的干式工艺减少了纯水的使用量，减少了粉尘的产生，并减少了废水量。此外，边缘修整是在晶圆键合之后进行的，这有助于减少修整前后的步骤数。

Ulucus™ LX是一款创新设备，配备了我公司开发的激光分层技术，可以在一台设备中进行激光照射、晶圆分离和清洗处理。这是通过将单晶圆清洗设备（NS 和 CELLESTA™ 系列）培育的先进激光控制、晶圆分离和清洗技术与涂层和显影设备 LITHIUS Pro™ Z 平台相结合而实现的，该设备拥有大量出货记录。
该设备旨在取代目前在晶圆永久键合工艺中使用的多种工艺，包括硅晶圆上的背面研磨、抛光和化学蚀刻，并重复使用分层的硅晶圆。与传统方法相比，可以减少90%以上的纯水使用量。它还有助于增加每个晶圆的有效芯片数量和重复利用硅晶圆。

Ulucus™ G 是一种晶圆减薄系统，将我们专有的研磨装置与 LITHIUS Pro™ Z 平台相结合，该平台在涂层和显影设备的批量生产方面拥有良好的记录，同时在批量生产中实现了高质量的硅晶圆并节省了劳动力。
该设备结合了新开发的研磨单元、擦洗单元和旋转湿法蚀刻单元，并且由于所有单元都进行单晶圆处理，因此可以控制每个晶圆的质量。此外，通过在设备中集成检测单元，可以在设备内反馈和控制每个过程的测量信息，从而可以在不依赖人类技能的情况下制造“高平坦度”、“低损伤”和“清洁度”的晶圆。