taptap点点 沉积NT333™系列
为ALD技术提供最优解决方案，未来将进一步扩展
TEL 的首款半批量薄膜沉积系统 NT333™ 采用不同于传统 ALD 中使用的时间分割方法的独特薄膜沉积方法，实现了高质量和高生产率。一个载物台上安装有六片晶圆，载物台旋转一圈即可完成一个 ALD 循环，采用一种独特的机制，利用保护气体将原料气体的吸附与反应空间分开。通过创造最佳的气体供应和空间，同时提高转速，我们实现了高产量，为尖端工艺的大规模生产做出了贡献。
NT333™ 是 TEL 的第一个半批量薄膜沉积系统。基于在一个平台上安装六片 300mm 晶圆并在一次旋转中完成 ALD 工艺的一个周期的设备概念，我们还在 ALD 周期中加入了修改步骤，从而可以改善传统 ALD 薄膜的低温下薄膜质量问题，并针对每种应用优化调整薄膜应力。 ALD工艺需要通过反应气体的充分吸附和氧化在原子水平上控制膜厚。此外，提供包含改性步骤的高质量成膜工艺，不仅可以直接改善漏电特性等器件性能，而且还有助于利用复杂形状的高覆盖度和膜本身的耐蚀刻性，稳定生产三维半导体器件结构。 NT333™中使用的独特等离子单元屏蔽实现了均匀的等离子照射和均匀的薄膜质量，而不会损坏高速旋转的平台上的晶圆。
热ALD氧化膜(760℃)
![DHF蚀刻量[nm]](/product/pv8va20000001c6b-img/pv8va20000001ddw.png)
DHF蚀刻量[nm]
系列比较
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| 晶圆尺寸 (毫米) |
300 |
| 可用性 | 新 |
| 每个室/系统的晶圆 | 6/12晶圆 |
| 处理室 | 2室 |
| 反应堆 | 热/等离子 |
| 功能 | 高阶梯覆盖率、高质量薄膜、高通量、应力可控、低等离子体损伤 |
| 进程 | 二氧化硅2，氮化硅，高 k |
| 基材 | 硅、SOI |
NT333是东京电子集团在日本和其他国家的注册商标或商标。
