taptap点点 涂布机/显影机LITHIUS™ 系列
通过创新技术不断发展的尖端行业标准设备
CLEAN TRACK™ LITHIUS™ 系列是一款 300mm 晶圆兼容涂层和显影系统，配备了 CLEAN TRACK™ ACT™ 系列培养的先进技术开发能力，拥有较高的市场份额和业绩记录，以及通过尖端研发实现的最先进的功能。主要理念是可扩展到尖端工艺、高吞吐量、减少占地面积、提高OEE（整体设备效率）和降低CoO（拥有成本），其高可靠性和生产力受到全球客户的高度评价。作为最先进的行业标准设备，它不断发展以满足尖端技术和多样化需求。
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro DICE™ 是一款与 300mm 晶圆工艺兼容的涂层和显影系统，配备了从 EUV 工艺（包括高 NA 工艺）到 DUV 工艺等广泛应用所需的技术。
继承具有独特产品理念的LITHIUS Pro™ Z涂层/显影系统，我们旨在降低形成包括高NA在内的EUV工艺技术所需的超精细图案的成本和缺陷控制技术，并以业界最快的处理速度和最大的洁净室效率，实现从尖端逻辑到DRAM和NAND的许多半导体器件的高产量。此外，LITHIUS Pro™ Z还增强了设备数据采集和处理能力，以提高设备利用率和工程师工作效率。凭借这些技术，CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro DICE™ 提供高附加值的半导体制造工艺，并为器件的发展做出贡献。
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ AP 是一款与 300mm 晶圆工艺兼容的涂层和显影系统，与高粘度材料和旋涂硬掩模材料兼容，并针对下一代封装技术所需的处理进行了优化。
继承了已得到众多客户支持的CLEAN TRACK™ ACT™ 12的理念，支持高粘度材料和旋涂硬掩模材料，并优化了下一代封装技术所需的硬件和工艺。此外，通过安装CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Z中采用的具有对准功能和薄型旋转模块的新型传输系统，我们实现了更高的可靠性、更高的生产率和提高的产量。基于通过CLEAN TRACK™系列培育的先进技术以及我们在客户量产线上的记录，我们不仅在先进工艺中，而且在包装市场上，为提高生产力和产量做出了贡献。
晶圆边缘接触面积比较
高粘度材料涂布工艺
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ Z 是一款适用于 300mm 晶圆工艺的抗蚀剂涂覆和显影系统，支持 10nm 节点及以下节点的最新光刻工艺。
我们开发了 CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V 的基本概念，已得到许多客户的支持，并改进了基本性能，以进一步提高吞吐量并支持未来的小型化。通过采用新的低粉尘输送方法，我们的目标是提高晶圆输送精度，并添加抑制由于与晶圆斜面非接触而导致的背面和边缘缺陷的功能。此外，我们将继续提高OEE（整体设备效率）并降低运行成本，为提高客户产品的生产率做出贡献。它还可以扩展到EUV工艺等先进工艺，为半导体制造中构建高效的生产环境提供强大的支持。
晶圆边缘接触面积比较
精细线宽均匀性控制
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ V 继承了已获得众多客户大力支持的 CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ 的设计理念，进一步提高了吞吐量，最大限度地提高了 OEE（整体设备效率），并最大限度地提高了每天的晶圆数量。此外，它还具有双图形技术等工艺扩展性，为尖端半导体工厂构建高效的半导体器件生产环境提供了强有力的支持。
CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro™ 是一款与 300mm 晶圆工艺兼容的镀膜和显影系统，可提高生产率并减少设备占地面积，从而与传统设备相比显着减少洁净室占用的面积。该设备配备了Tokyo Electron独特的创新技术，实现了提高OEE（整体设备效率）和降低CoO的核心理念。 CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro 还通过应用新颖的工艺和模块来支持尖端的浸没式光刻工艺。此外，可以安装多个检查/测量模块，从而实现独特的先进过程控制。
CLEAN TRACK™ LITHIUS™ 是一种与 300mm/200mm 晶圆工艺兼容的抗蚀剂涂覆和显影系统。 CLEAN TRACK™ LITHIUS™ 的开发基于三个概念：“改进的流程”、“短周期工具”和“增强的网络解决方案”。通过提高与更重要的工艺技术的兼容性和稳定性，并实现短交付时间、快速启动和易于修改，我们正在应对市场快速波动的半导体商业环境。
系列比较
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| 晶圆尺寸 (毫米) |
300 | 300 | 300 | 300 | 200,300 | 200,300 |
| 可用性 | 新 | 新 | 新 | 新 | 新 | 经认证使用 |
| 吞吐量 （每小时） |
内联：440 | 200 | 内联：300 | 内联：250 | 内联：200 | 内联：150 |
| 进程 | EUV、浸没式、ArF、KrF、i-line、SOC | PI、封装、SOD、OCCF 等 | EUV、浸没式、ArF、KrF、i-line、SOC | 浸没、ArF、KrF、i-line、SOC | 浸没、ArF、KrF、i-line、SOC | 浸没、ArF、KrF、i-line |
| 其他功能 | 高生产率、高吞吐量、高缺陷性能、OEE 改进以及化学品成本降低 | 多种应用的灵活配置，基于 LITHIUS Pro™ Z 系统的高可靠性和生产力 | 高生产率和流程性能， 低颗粒晶圆传输系统， OEE 改进， 降低化学品成本 |
高生产力， 吞吐量高，占地面积小， OEE 改进， 灵活的配置 双重图案化工艺 |
吞吐量高，占地面积小， OEE* 改进， 降低化学品成本 |
计量集成， 数据分析“Ingenio™", 浸泡工艺能力 |
| *OEE：整体设备效率 |
CLEAN TRACK、LITHIUS Pro DICE、LITHIUS Pro、LITHIUS、CLEAN TRACK ACT、ACT 和 Ingenio 是 Tokyo Electron Group 在日本和其他国家/地区的注册商标或商标。
