taptap点点 沉积EXIM™/ LEXIA™-EX
具有灵活性和可扩展性的下一代半导体新概念器件
EXIM™和LEXIA™-EX具有可以根据用途自由配置工艺模块的特点,是可以在未来变得更加复杂的半导体薄膜沉积工艺中从工艺开发到量产灵活使用的PVD设备。我们在作为非易失性存储器而受到关注的STT-MRAM等下一代设备的多层薄膜工艺方面拥有不断增长的业绩,未来我们将利用薄膜厚度、薄膜质量、薄膜成分的优异均匀性以及作为量产设备的稳定运行,将其应用扩展到先进逻辑、DRAM、3D NAND等。
EXIM™ 是一种薄膜沉积系统,具有前所未有的灵活性和可扩展性,即使在垂直磁化型 MTJ 器件等超多层存储器堆栈中也能提供高生产率。采用与传统PVD设备完全不同的理念,我们可以根据您的需求灵活布局工艺模块,并提供从开发到量产的广泛支持。此外,通过引入新开发的薄膜沉积方法,我们提高了设备利用率,减少了颗粒,并实现了良好的面内均匀性和再现性。此外,通过采用多阴极技术作为溅射源,它提供了出色的界面控制和成分控制。垂直磁化存储器堆叠工艺是由20层或更多层超多层薄膜组成的工艺,是STT-MRAM制造工艺的关键,而STT-MRAM作为下一代存储器的关键器件而备受关注。即使在如此复杂的工艺中,EXIM™ 也能同时实现高生产率和工艺性能。未来,我们将利用该设备卓越的灵活性和可扩展性概念,逐步扩大应用范围。
LEXIA™-EX 是一款通用溅射系统,适用于高级逻辑、DRAM 和 NAND 的各种应用。
在保持前代机型超高真空室、膜厚、膜质、膜成分均匀性优异、模块扩展性等特点的同时,设备占地面积减少约40%,二氧化碳减少2通过减少约 14% 的排放并优化输送功能,我们实现了 100wph 的吞吐量,比传统机器高出 20% 以上。
除了传统的4靶室(mPVD)外,我们还开发了配备两个超大靶材的dPVD室。这使得为单层厚膜应用提供更高的沉积速率成为可能,例如用于 DRAM 电容器的下一代硬掩模和用于高级逻辑的功能膜。
系列比较
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| 晶圆尺寸 (毫米) |
300 | 300 |
| 可用性 | 已认证使用 | 新 |
| 进程 | 磁隧道结 | 磁隧道结 金属 金属氧化物/氮化物 |
| 溅射源 | 多阴极PVD | 多阴极PVD 双阴极 PVD |
| 基材 | 硅 | 硅 |
| 其他功能 | 灵活性、可扩展性 | 占地面积小 高吞吐量 灵活性、可扩展性 |
EXIM 和 LEXIA 是东京威力科集团在日本和其他国家/地区的注册商标或商标。
