taptap点点 取证Episode™ 系列
针对器件小型化、三维化、成膜材料多样化的需求提出最佳解决方案
Episode™ 系列拥有很高的市场份额和 Trias 的业绩记录e+™ 培养的高量产稳定性和通过尖端研究和开发实现的尖端功能。增加安装的工艺模块数量,以实现高吞吐量和小占地面积。配备了以往型号所没有的增强型设备数据采集和边缘信息处理系统,还提供分析应用等,从而可以提高设备利用率和工程师工作效率。
Episode™ 1 是一个最多可容纳 8 个处理模块的平台。为了处理随着客户设备变得更小的所需的复杂处理,可以连续执行多个处理。此外,该设备还配备了去除硅自然氧化膜的模块OPTCURE™和形成钛膜的模块ORTAS™。我们将降低先进逻辑器件中金属布线的接触电阻,并将加快新材料成膜工艺的开发,以进一步降低接触电阻。
Episode™ 1配备了以往型号所没有的增强型设备数据采集和边缘信息处理系统,并提供分析应用程序等,从而可以提高设备利用率和工程师工作效率。我们还将通过创建设备运行状态和能源使用信息数据库来减少对环境的影响。
Episode™ 2 是一个同时运输两个晶圆的平台。它实现了高生产率和小占地面积,有助于提高客户工厂的生产率。工艺模块DMR(Duo Matched Reactor)是一种同时在两片晶圆上成膜的模块,是已被许多存储器件制造商采用的Trias模块。e+™继EX-II™系列之后,进一步的3D设备设计和高纵横比*的各种新功能未来,我们将加速下一代各种工艺模块的开发。
Episode™ 2配备了以往型号所没有的增强型设备数据采集和边缘信息处理系统,并提供分析应用程序等,从而可以提高设备利用率和工程师工作效率。我们还将通过创建设备运行状态和能源使用信息数据库来减少对环境的影响。
*纵横比:晶圆上形成的图案的深度与宽度之比
系列比较
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| 晶圆尺寸 (毫米) |
300 | 300 |
| 可用性 | 新 | 新 |
| 腔室数量 | 1 - 8 | 1 - 4 |
| 应用 | 逻辑联系人 | 电容器电极, 字线 TiN, 势垒金属 |
| 基材 | 硅 | 硅 |
| 进程 | 预清洁 CVD 钛 |
ASFD*氮化钛 |
*ASFD:先进的顺序流沉积(Advanced Sequential Flow Deposition):一种可以在纳米级上形成低温致密薄膜的方法
Episode 和 EX-II 是 Tokyo Electron Group 在日本和其他国家/地区的注册商标或商标。