taptap点点 与东京电子和imec-ASML联合高NA EUV实验室合作的通知

　东京电子（东京都港区电话，社长：河合俊树）在位于荷兰 Veldhoven 的“imec-ASML 联合高 NA EUV 研究实验室”（以下简称“高 NA 实验室”）安装了下一代高 NA EUV 曝光系统 ASML EXE:5000，计划从 2023 年开始投入运行。 （数值孔径 NA=055） 我们谨通知您，我们将推出在线* 涂布和显影设备。通过与imec-ASML合作并推进技术开发，TEL将满足客户进一步小型化的需求。
 

　高NA EUV曝光设备有望成为一种能够支持进一步小型化、超越传统EUV曝光设备的技术。我们计划引入高NA实验室的涂层和显影设备配备了最新功能，不仅与已广泛使用且具有良好记录的化学放大抗蚀剂和下层薄膜兼容，而且还与涂层含金属抗蚀剂兼容。含涂漆金属抗蚀剂已被证明具有高分辨率和高抗蚀刻性，并且有望用作更精细图案的抗蚀剂。另一方面，需要复杂的控制，例如控制图案尺寸以及控制晶圆背面和斜角区域的金属污染。此次将引入高NA实验室的设备配备了支持含金属抗蚀剂的新工艺模块，以应对这些先进的挑战。
 

　通过使用配备了新工艺模块的TEL涂布和显影设备，可以在一台设备上在线处理化学增幅抗蚀剂、含金属抗蚀剂和底层膜等各种材料，从而可以同时实现灵活的Fab操作和涂布和显影设备的高生产率和高运转率。
 

　此外，通过利用我们在产品阵容中拥有连续多工艺设备的优势，我们将与我们的合作伙伴光刻胶材料制造商合作，实现全面的图案化解决方案，除了光刻工艺的涂层和开发之外，还包括蚀刻工艺。

　Tokyo Electron董事、常务执行官兼SPE事业本部总经理Yoshinobu Mitano表示：“基于我们在EUV光刻技术方面的记录，该技术已经投入量产，TEL将与imec和ASML合作，迅速掌握高NA世代的问题并采取对策。我们将继续及时支持EUV曝光技术的实现。”

　Tokyo Electron 执行官兼 CTSPS BUGM Keiichi Akiyama 表示：“TEL 目前拥有 EUV 曝光机的在线涂层和显影设备 100% 的份额。我们期待在imec-ASML高NA实验室进行联合研究，为EUV曝光生成最好的涂层和显影设备。我们将与我们的合作伙伴合作，实现具有挑战性的新方法来解决客户的问题。”

　imec Cartuyvels 首席运营官 (COO) 兼研发执行副总裁 Rudi 表示：“imec 和 TEL 25 年来一直是战略合作伙伴，共同开发推动半导体微缩的创新解决方案。imec 期待继续与 TEL 合作，实现高 NA 图案化，这是半导体微缩路线图的下一步。”

　imec 高级图案化、工艺和材料副总裁 Steven Scheer 表示：“TEL 和imec 之间的合作对于识别和消除使用旋涂抗蚀剂的 EUV 图案化中的关键缺陷至关重要，并将有助于将 EUV 引入大批量生产部署。在 EUV 图案化中，薄的抗蚀剂膜厚度和小图案尺寸使得减少缺陷变得更加重要。因此，imec 很高兴与东京电子和抗蚀剂材料制造商在imec-ASML高NA实验室合作，以加速向我们的客户推出高数值孔径 EUV。”

*串联：指曝光装置与涂布/显影装置一体化。通过统一曝光工艺和涂布/显影工艺，客户可以节省空间并实现高生产率。

taptap点点总裁兼首席执行官河合俊树（左）和imec总裁兼首席执行官Luc Van den hove（右）在关于向imec-ASML高NA EUV实验室引进尖端涂层和开发设备的谅解备忘录(MOU)的远程签字仪式

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