taptap点点 ALD/ALE 2025

2025 年 6 月 23 日星期一下午
ALD 应用
AA-MoA 会议
内存应用 I
版主：
Hanmei Choi，三星电子，韩国
Robert Clark，TEL 技术中心，美国

2025 年 6 月 23 日星期一晚上
AF-MoP-41
通过 ALD 和 ALE 调节 HfxZr1-xO2 薄膜特性
范明宽（研究生），国立清华大学，台湾仪器研究所
陈一成，国立清华大学
Chien-Wei Chen、Yang-Yu Jhang、Sheng-De Wong，台湾仪器研究所
Hong-Luen Lin，台湾东京电子
朱英浩，国立清华大学

2025 年 6 月 24 日星期二上午 8:30
AF3-TuM-3
使用第一性原理计算揭示缺陷和氢化对环硼嗪基原子层沉积的影响
Tsung-Hsuan Yang，东京电子美国
Gyeong Hwang，德克萨斯大学奥斯汀分校
胡丽、赵建平、Peter Ventzek，Tokyo Electron America

2025 年 6 月 24 日星期二上午 9:15
AF1-TuM-6
硅烷(SiH4) 在增强氮化钛(TiN) 原子层沉积(ALD) 中的催化作用
胡莉，东京电子美国公司
Taichi Monden、Masaaki Matsukuma、Tokyo Electron Technology Solutions
赵建平，东京电子美国
Yoshitada Morikawa，日本大阪大学
Peter Ventzek，东京电子美国公司

2025 年 6 月 24 日星期二上午 11:30
ALE2-TuM-15
使用卤化来抑制钨湿法原子层蚀刻中的表面粗糙度
Tulashi Dahal、Kate Abel、Tokyo Electron America
Karthik Pillai，TEL 技术中心，美国
Trace Hurd、Antonio Rotondaro、Tokyo Electron America

2025 年 6 月 24 日星期二下午 4:30
ALE2-TuA-13
低 GWP 替代气体 C 之间的气体脉冲原子层蚀刻 (ALE) 特性比较_₄F_₆，C_₄H_₂F_₆和常规气体 C_₄F_₈
Shinjae You，忠南国立大学物理系和韩国忠南国立大学量子系统研究所 (IQS)
Dongki Lee（研究生）、Inho Seong，韩国忠南国立大学物理系
Young-seok Lee，韩国东京电子
Sijun Kim，等离子体物理实验室 (LPP)、CNRS、索邦大学、巴黎综合理工学院、巴黎综合理工学院，大韩民国
Chul_Hee Cho、Wonnyoung Jeong，韩国忠南国立大学物理系
Ehsanul Haque Jami，孟加拉国忠南国立大学物理系
Min-su Choi、Byingyeop Choi、Seonghyun Seo、Isak Lee、Woobeen Lee、Won-gyun Park、Jinhyeok Jang，韩国忠南国立大学物理系

2025 年 6 月 24 日星期二下午 4:45
AS-TuA-14
ALD 杰出演讲奖决赛入围者：通过原位选择性表面氟化实现高温区域选择性 ALD SiN
Haonan Liu、Ken Okoshi、Hiroki Murakami、Yamato Tonekawa、Tokyo Electron Technology Solutions

区域选择性 ALD
房间活动厅 - 会议 AS-TuP
区域选择性 ALD 海报会议
下午 5:45 – 晚上 7:00

AS-TuP-3
区域选择性沉积中三甲基铝在 SiO2、SiN 和 Si 上吸附的实验和 DFT 计算的比较研究
Genki Hayashi、Ni Zeyuan、Yumiko Kawano、Shinichi Ike、Shuji Azumo、Tokyo Electron Technology Solutions

AS-TuP-4
用于区域选择性沉积的高效高通量分子筛选的自动吸附模拟工作流程
Zeyuan Ni、Michitaka Aita，Tokyo Electron Technology Solutions
Ayuta Suzki，TEL 技术中心，美国
Genki Hayashi、Yumiko Kawano、Shinichi Ike、Shuji Azumo、Tokyo Electron Technology Solutions

2025 年 6 月 25 日星期三上午 8:30
ALE1-WeM-3
通过 HF/C2H5OH 和 Ar 等离子体的物理吸附对 SiO2 进行低温原子层蚀刻
Shih-Nan Hsiao、Makoto Sekine，日本名古屋大学
Yoshihide Kihara，东京电子宫城
堀胜，名古屋大学

2025 年 6 月 25 日星期三下午 2:30
AF-WeA-5
通过新型等离子体原子层沉积开发超低介电常数氮化硼薄膜
Kazuki Goto、Yoshihiro Kato、Shuichiro Sakai、Hiroki Murakami、Yamato Tonekawa、Tokyo Electron Technology Solutions