taptap点点 2025 年 IEEE 超大规模集成电路技术与电路研讨会
活动摘要
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活动日期
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2025.06.08〜2025.06.12
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地点
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京都
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目标
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设备工程师 工艺工程师
2025 年 IEEE 超大规模集成电路技术与电路研讨会是半导体研究领域的顶级国际会议之一，将于 6 月 8 日至 12 日在京都举行！这是一次涵盖器件/工艺技术和电路技术的国际学术会议。
Tokyo Electron (TEL) 企业创新部门的 Takaaki Kadomura 将担任本次国际会议的研讨会主席，该会议汇聚了世界领先的半导体行业专家。
TEL 将发表与全球联盟imec 共同撰写的论文，美国工程师 Angelique Raley 将举办题为“先进封装时代的创新与挑战”的研讨会。本次研讨会将汇集来自 EDA、AI 芯片设计、供应商、研发联盟和半导体制造设备制造商的行业领导者，报告和讨论先进封装的技术趋势以及充分利用 3D 缩放优势所需克服的挑战。
请期待活跃在世界最前沿的TEL工程师的演讲！
#科技赋能生活
常规研讨会 4
6 月 8 日星期日 13:00-15:00
先进封装时代的创新与挑战
主办方：A Raley，美国 TEL 技术中心
技术会议 18 互连
6 月 12 日，星期四，14:00-15:40
T18-3 - 14:50
A10 节点互连之外的选择性沉积和钌超级填充探索
M。 van der Veen*、G Pattanaik**、T Hakamata**、Y Otsuki**、A Romo Negreira**、J Mayersky**、K Yu**、R Yonezawa**、H Suzuki**、R Clark**、A Kumar Mandal*、A Farokhnejad*、N Jourdan*、P Marien*、G Murdoch*、H Struyf*、A Sepulveda Marquez*、S Park*、J Swerts* 和 Z Tokei*
*imec
**东京电子
摘要：
我们证明，选择性 Ru CVD 可以在 A10 节点及以下的关键金属层实现多层半镶嵌 (SD) 互连。在环形振荡器仿真中，结果表明 Ru SD 流可以受益于无障碍 Ru 通孔。 Ru CVD 对 MP21 通孔中的低 k 30 具有出色的选择性。当 Ru 过孔与 Cu 线组合时，MP24 链电阻比无障碍双镶嵌 (DD) Ru 更低。此外，我们在 MP21-MP26 的低 k DD 测试车辆中应用了 Ru 超级填充 CVD。由于其自下而上的生长特性，Ru 超级填充不会在 SiO2 或 MP21 低 k 线路中引起线路弯曲。物理面积证实了 Ru 超级填充电阻缩小至 70 nm2。选择性和超级填充 Ru CVD 是未来节点多层 SD Ru 互连的推动者。
