taptap点点 2018年5月29日中期经营计划说明会问答集

我们不会提供有关每项申请的增长率或金额的具体数字，因此请查看演示材料第 14 页上的图表以了解总体趋势。到目前为止，DRAM 绿地投资一直强劲，但我们相信 2019 年 3D NAND 投资将会增加。

内存需求尤为旺盛，内存客户从2017年下半年开始积极投资DRAM，产能不断增加。我们预计内存客户未来将投资从 DRAM 转向 NAND。

我们估计 2020 年在中国的投资将由外国制造商和中国本土制造商约占 50-50 分。中国本土制造商的大部分投资将被留在记忆中。

如您所知，我们认为 $62B 是主要场景。我们对未来WFE市场的持续增长充满信心，并制定了考虑开发和资本投入的营业利润率目标。 $55B 案例是作为一个模型创建的，假设市场将因金融危机、地缘政治风险或半导体小型化的进展而有所下降。

尽管由于金融危机、地缘政治风险或半导体小型化等原因，收益率可能无法充分提高，但我们基于超过 $62B 的主要场景进行投资。我们公司历史上最大的销售额下降是在雷曼危机期间，当时销售额比上一季度下降了44%，但考虑到这种下降，我们推出了将制造外包给合作伙伴公司、对员工实行绩效薪酬等措施，并建立了能够应对市场波动风险的体系。

我不能说 ROE 目标值是否假设股票回购。正如我们之前沟通过的，我们将灵活考虑实施股票回购。我们希望根据市场趋势、股票回购规模等各方面做出决策，并在为股东带来最大价值的时间实施股票回购。我们希望以最大化其价值的方式使用所产生的现金，考虑到增长潜力以及为进一步的商业机会获得资本的可能性，我们将其称为“灵活”。

如演示材料第 62 页上的图表所示，我们预计 SAM 将随着 WFE 市场的增长而增长，并且 SAM 比率将保持不变。虽然SAM比率不会下降，但大幅上升的可能性不大。在引入EUV的光刻工艺中，曝光次数将减少到目前的1/3左右，但由于EUV的生产率低于目前的浸没式ArF，因此所需设备的数量将会增加，我们相信这将抵消曝光次数。由于安装了减少缺陷的单元和EUV的CDU*3改进，设备的单价预计将略有上升。如果 EUV 产能或曝光量发生变化，情况就会发生变化，但目前的前景如图所示。此外，2022年之后，商机将会增加，例如PSCAR™*4，它可以提高N5代及以后的生产力。

随着EUV的引入，四重图案化后的光刻和刻蚀工艺只需完成一次，减少了工艺数量，因此增长率保持适度。目前预计EUV将首先引入逻辑，尚不清楚是否会引入DRAM，因此尚未纳入当前预测。该预测很可能会根据未来的技术趋势而改变。
此外，从2017年到2021年，由于EUV的引入，曝光设备市场在整个WFE市场中的比例预计将增加4个百分点。蚀刻设备和薄膜沉积设备预计同期各上涨1个点。

当前的浸没式ArF需要多次曝光，而重复的自对准多重图案会导致未对准并降低良率。因此，从技术角度来看，EUV的引入对于推动小型化是不可避免的。不过，EUV不会大幅减少我们的蚀刻和薄膜沉积业务机会。

从成本角度来看，在所有图案化工艺中使用 EUV 会很困难。随着小型化的进展，我们认为传统的双/四重图案将继续存在，因此我们预计薄膜沉积市场不会大幅下滑。

2017 年薄膜沉积设备的份额如 ALD 和单晶圆 CVD 设备的预期增长。正如您所指出的，氧化/扩散的份额有所下降，但这并不意味着我们失去了任何真正的竞争力。下降的原因是并非所有客户都拥有相同的市场份额，因此市场份额会根据客户的投资组合而波动。我并不太担心这种下降。未来，我们希望进一步提高附加值，扩大市场份额。

去年中期经营计划说明会上谈到的开发型POR已经变成了量产型POR。

正如您所说，MRAM和PCRAM等非易失性存储器存在功耗等问题，未来很可能会被采用。然而，在非易失性存储器中，NAND仍然对WFE做出最大的贡献，而MRAM等其他器件的推出则进一步推迟了一些。事实上，与一年前相比，引进计划本身已经被推迟。

ONON（氧化物/氮化物）层或电荷陷阱结构是主流。