taptap点点

投资者信息

taptap点点 截至 2017 年 3 月的财年第一季度的问答环节

在公布截至 2016 年 3 月的财年全年业绩时,4 月至 6 月期间的订单指引是订单量将比 1 月至 3 月期间减少,但实际上却有所增加。虽然全年盈利预测不变,但下半年还有改善空间吗?

4月至6月期间的订单已提前,目前预计7月至9月期间的订单将低于4月至6月期间。关于全年盈利预测,我们维持最初预测不变,因为逻辑小型化和 3D NAND 的销售时间提前和延迟。

4-6月期间非易失性存储器订单占比较1-3月有所下降,但这意味着3D NAND投资平稳?

1-3月期间,中国和东南亚订单较多,但4-6月期间,韩国订单有所增加。非易失性存储器整体表现良好,多家客户积极投资。在设备方面,不仅有蚀刻设备,还有成膜设备、清洗设备等。

欧洲和美国的订单正在减少,但我们能否期望主要逻辑制造商的订单与 2014 年一样高?

我们不会对特定客户发表评论,但总的来说,服务器需求是稳定的。

7 月至 9 月期间每项申请的订单走向如何?

由于订单提前,代工厂和 3D NAND 的订单在 4 月至 6 月季度有所增加,目前的前景是这些订单在 7 月至 9 月季度将会减少。

SPE 订单的下一个高峰是什么时候?周期性波动会消失吗?

我们希望在今年下半年或明年初看到3D NAND投资和新逻辑投资。尽管存在一些波动,但 WFE*1 市场整体稳定,我们对此持积极态度。

4 月至 6 月期间的表现是否符合预期?

上半年营业利润率为148%,4-6月期间为149%,符合预期。

未来的分部利润率是多少?

在FPD业务中,我们相信,如果新型PICP*2蚀刻设备的销量增长,我们将能够提高部门利润率。在SPE业务中,我们正在做出各种努力,例如提出用于图案化和其他设备的高附加值设备和解决方案,并降低设备制造成本,因此我们相信该部门的利润率将会增加。

虽然一些竞争对手预计本财年的利润将达到历史新高,但贵公司的盈利预测将达不到历史新高。您预计利润何时会再创历史新高?

中期管理计划的财务模型要求,当WFE市场为$37B时,销售额为9000亿日元,营业利润率为25%,公司计划在四年内实现这一目标。到目前为止,毛利率有所改善,但公司将在控制销售、一般和管理费用的同时进一步强化利润结构。

3D NAND 6X层后获取POR*3进展如何?

自7月7日中期经营计划说明会以来没有发生重大变化。关于我们的强项氧化膜蚀刻设备,我们正在努力购买HARC*4工艺中具有高生产率设备的POR,并且在客户评估过程中我们看到了可喜的结果。

四家NAND厂商正在投资3D NAND,但6X层的POR什么时候能确认?下一代 9X 层的 POR 何时得到确认?

7-9月期间是6X层的重要时期。对于 9X 层,我们的目标是明年,重点是收购 POR。

如果你考虑中国的资本投资和3D NAND投资,我认为现在的环境比以前更能够从长远角度进行管理。您已经实施了组织变革和人事变动,但您计划为未来的增长做出哪些改变?

我们始终从中长期增长的角度来思考业务战略。该公司专注于不断增长的市场,并正在扩大其设备阵容,包括用于STT-MRAM*5的薄膜沉积设备和用于有机EL面板的喷墨写入设备。我们还建立了一个跨部门的组织来整合多种技术,但能够承担此类举措的公司数量有限,因此我们将充分发挥我们的优势。

7月,SEMI预测2017年WFE市场将较上年增长10%。贵公司对此有何看法?

SEMI 和 Gartner 预测与上一年相比将出现正增长,我们对此没有任何问题。我们相信,随着中国智能手机变得更加复杂以及每台设备安装的半导体数量增加,对逻辑和 3D NAND 的需求肯定会增加。但有必要密切关注全球经济、金融经济以及英国脱欧的影响。

在之前的解释中,据说2016年WFE市场中,非易失性存储器将增长30%,DRAM将减少20%,存储器整体持平。这种观点会改变吗?

我们相信 3D NAND 的需求将变得更加强劲,并且我们仍然认为非易失性存储器投资将大幅增加。从2D NAND到3D NAND的过渡速度比预期要快,尤其是对于企业而言,但根据存储器制造商的设备评估进展情况,可能会对设备需求产生一些影响。随着SSD的采用,也会出现对高速DRAM的需求,因此不仅要密切关注客户投资,还要密切关注数据中心服务器的需求。

熊本地震造成的超额损失是否会达到 78 亿日元?

还有一些部分仍处于估算阶段,尚未确认。

WFE(晶圆制造设备):半导体制造工艺包括在晶圆状态下形成电路并进行测试的前工序,以及对每个芯片进行切割、组装和测试的后工序。 WFE是前道工序使用的制造设备

PICP™:在面板基板上产生极其均匀的高密度等离子体的等离子体源

POR(记录过程):客户半导体制造过程中设备采用的认证

HARC(高深宽比接触)工艺:需要先进加工技术的深孔成形工艺

STT-MRAM(自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器):可实现低功耗的磁存储器

此内容是问题和答案的摘要。